• <small id="c6se4"><source id="c6se4"></source></small>
  • <legend id="c6se4"><tbody id="c6se4"></tbody></legend>
  • Knowledge Center

    碳化硅

    晶體的生長原理

    The Principle of Silicon Carbide Crystal Growth

    當前位置 > 碳化硅晶體的生長原理

    走近碳化硅 | 碳化硅晶體的生長原理

    SiC的晶體結構

    SiC制備方法:物理氣相升華法(PVT法)

    單一晶型穩定生長的主要機制:臺階流動生長模式(Step Flow Growth)

    >返回
    ? 2021 Copyright SICC Co., Ltd. All Rights Reserved.   備案號:魯ICP備11002960號-1
    Top AV网站在线播放_吊钟大奶少妇喷水_免费在线一区_日本山田么公与妇在线观看
  • <small id="c6se4"><source id="c6se4"></source></small>
  • <legend id="c6se4"><tbody id="c6se4"></tbody></legend>